電力電子器件又稱(chēng)作開(kāi)關(guān)器件，相當于信號電路中的A-D采樣，稱(chēng)之為功率采樣，器件的工作過(guò)程就是能量過(guò)渡過(guò)程，其可靠性決定了裝置和系統的可靠性。根據可控程度以及構造特點(diǎn)等因素可以把電力電子器件分成四類(lèi)：
(1)半控型器件——*代電力電子器件
2O世紀5O年代，由美國通用電氣公司發(fā)明的硅晶閘管的問(wèn)世，標志著(zhù)電力電子技術(shù)的開(kāi)端。到了2O世紀7O年代，已經(jīng)派生出了許多半控型器件，這些電力電子器件的功率也越來(lái)越大，性能日漸完善，但是由于晶閘管的固有特性，大大限制了它的應用范圍。
(2)全控型器件一一第二代電力電子器件
從2O世紀7O年代后期開(kāi)始，可關(guān)斷晶閘管(GTO)、電力晶體管(GTR或BJT)及其模塊相繼實(shí)用化。此后，各種高頻率的全控型器件不斷問(wèn)世，并得到迅速發(fā)展。這些器件主要有：電力場(chǎng)控晶體管(即功率MOSFET)、靜電感應晶體管(SIT)、靜電感應晶閘管(SITH)等，這些器件的產(chǎn)生和發(fā)展，已經(jīng)形成了一個(gè)新型的全控電力電子器件的大家族。
(3)復合型器件——第三代電力電子器件
前兩代電力電子器件中各種器件都有其本身的特點(diǎn)。近年來(lái)，又出現了兼有幾種器件優(yōu)點(diǎn)的復合器件。如：絕緣門(mén)雙晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它實(shí)際上是MOSFET驅動(dòng)雙型晶體管，兼有M0sFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩者的優(yōu)點(diǎn)。它容量較大、開(kāi)關(guān)速度快、易驅動(dòng)，成為一種理想的電力電子器件。
(4)模塊化器件——第四代電力電子器件
隨著(zhù)工藝水平的不斷提高，可以將許多零散拼裝的器件組合在一起并且大規模生產(chǎn)，進(jìn)而導致第四代電力電子器件的誕生。以功率集成電路PIC(Power Intergrated Circuit)為代表，其不僅把主電路的器件，而且把驅動(dòng)電路以及具有過(guò)壓過(guò)流保護，甚至溫度自動(dòng)控制等作用的電路都集成在一起，形成一個(gè)整體。
